ビルドアップビアの穴内部をめっきや導電ペーストなどの導体で満たし、上下の層間を電気的に接続する技術で、弊社全ビルドアップ製品群でビアスタック構造が可能です。
		特長 CMKの全ビルドアップ製品群（４種類）でビアスタック構造が可能です。 従来のコンフォーマルビアでは問題となっていた、ＣＳＰ実装時のはんだ食われがなくなり、0.5mmピッチだけでなく、更なる高密度実装が可能になります。 　 Via Fillingにより、サブランドが不要になります。 銅めっきによるVia Fillingにより、放熱効果が得られます。     用途 はんだが食われることなく、狭ピッチCSP実装が可能となります。 ボールパッド上より配線が可能となり、高密度実装が可能となります。（0.3〜0.4mmピッチのCSP実装にも今後対応します。
		ALIVH-C CLLAVIS PPBU RF-3 <<R&D>> フィルドビア技術による全層スタックドビア構造を有する半導体パッケージ用サブストレート
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